"Сергей Кутолин. Круг моих научных интересов как практика реальной рефлексии" - читать интересную книгу автора

использованы в изготовлении электронных приборов, причем на кремнии a ,b -
Si3 N4 давали МДП-структуру, a Si3 N на кремнии давал прекрасные диодные
структуры.
Результаты работы в этой области были опубликованы моим сотрудником
А.М. Полянским, которые вошли в его диссертацию. Затем, детальнейшим образом
исследовал электрофизически эти материалы В.Ф. Воронов. Все мы были
убеждены, что элек-троэррозионным диспергированием кремния в электрической
дуге в атмосфере азота удается получать кубический нитрид кремния состава
Si3 N. Насколько мне известно в научной литературе этот момент не нашел
должного резонанса. Воз-можность получения кубических модификаций нитридов
из их гексагональных форм, тем самым, оказывалось реальностью не только
путем давления, но и в разряде плазмы. Поэтому, я полагал, что возможно
получение плотных модификаций нитридов, например, нитрида бора, из его
гексагональной фазы и путем высокочастотного распыления гексагонального
нитрида бора или просто бора в плазме разряда азота. Этот опыт успешно был
поставлен В.Н.Гаш-тольдом в моей лаборатории, результаты докладывались на
совещаниях по нитридам, были опубликованы в разное время в печати, но
наиболее полно в: Электронная техника. Серия 12.-1970.-" 4.-с. 56-67. В это
же время мой сотрудник И.В.Степанов попытался получить аналогичный результат
на примере нитрида алюминия путем его термического распыления в виде
диспер-гированной пленки, но здесь однозначного результа не было получено,
зато удалось получить сносные полевые транзисторы (Электронная
техника, -сер. 12. -в. 5.-с.51-60.-реф. Chem. Abstr., 1971. -v.74. -92585y)
на основе пленочного нитрида алюминия и разработать новый способ
изготовления тонкопленочных конденсаторов путем последовательного
термического испарения нитридов переход-ных металлов в два приема: первый со
скоростью 100 А/мин, второй 0,5-1 А/мин при общей толщине пленки, например,
нитрида алюминия 4000-6000 А (Авт. свидетельство СССР " 297326). Стадия
малых скоростей термического испарения материала оказалась необходимой и
достаточной для полу-чения и качественного воспроизведения свойств емкостных
элементов. Лишь позднее в дипломной работе Н.И. Бойкина был выяснен механизм
и значимость этой стадии. Оказалось, что малые скорости напыления
диэлектрического материала приводят к такой форме термической радиации
материала в процессе его массопереноса. на подложку, что имеющиеся пустоты
между диспергированными на подложке "островками" быстро испарявшегося
материала заполняются сферолитами диэлектрика и осуществляется тем самым как
бы "тонкая подгонка" номиналов емкостей. Становилось, совершенно очевидным,
что плотность поверхностных состояний, пробивное напряжение, тангенс угла.
потерь получаемых слоев можно контролировать, если термическое испарение
материала сти-мулировать, например, УФ-облучением. Это и составило
содер-жание дипломной работы Н.И.Бойкина применительно к синтезу пленочных
покрытий на основе окиси и нитрида алюминия. От возможности получения в
пленочном диспергированном сос-тоянии материалов бинарного состава (окислы,
нитриды, халькогениды) путем их массопереноса компактного образца на
подложку в форме пленок в условиях термического распыления, использования
ВЧ-разряда, термического испарения, стиму-лированного УФ-облучением,
электроннолучевого испарения круг интересов смещался и в сторону изучения
процессов массо-переноса металлатных соединений сложного состава. например,
получения термическим или ВЧ-распылением тонко-пленочных слоев метаниобата,
метатанталата лития, метатитаната бария. Первые опыты в области пленок этих