"Сергей Кутолин. Круг моих научных интересов как практика реальной рефлексии" - читать интересную книгу автора

материалов были сделаны В.Ф. Вороновым еще в 1968 (Реферативная информация
радио-электроники, 1970.-т. 4.-3060; 1970.-т.4."3074).
Фактически это была часть программы изучения неорга-нических элементов
электроники и физико-химического управ-ления ими, выдвинутая мной в 1968 г.
(Инф. справ, листок МЭПСССР " 000404, серия полупроводниковые приборы) на
основе принципов построения систем, обладающих организацией и
самоорганизацией, а затем детализированной в работе: "Элементы
микроэлектроники, химические реакции и превращения в твердой
фазе" -Электронная техника, сер. 12 ."1970 .-т. 4 .-с. 3-9. Получение
халькогенидов и окислов рзэ бинарного состава, метатанталатов, метаниобатов
щелочных металлов в пленочном состоянии, изучение емкостных, приборных
структур на основе этих материалов составило предмет диссертационной работы
В.Ф. Воронова. Получение же методом ВЧ-разряда аморфных, тек-стурированных
слоев сегнетоэлектриков, выполненное Н.И. Бойкиным и Ю.В.Соколовым в 1975
г.(Изв. АН СССР, сер. Неор-ган. материалы. -1976. -т. 12. -"
12. -с.2185-2187), обнаруженный Н.И.Бойкиным эффект самоочистки от
карбонатных примесей и свободных окислов сегнетоэлектриков при их
ВЧ-переносе на подложку, а затем детальное изучение дефектообразования в
пироэлектриках и их пленочного применения в ИК-приемниках (Физико-химические
свойства соединений А4 В6 , пироэлектриков и основы изготовления
ИК-приемиков. М.: Электроника.-1979.-ч.1.-66 с;-част II.-52
c.-Chem.Abstr., -1979. -v.91. -167348k)- эти материалы стали основой
кандидатской диссертации скромного, основательного исследователя Н.И.
Бойкина, ушедшего из жизни в 42 года.
Тем самым, возможность регулирования стехиометрии чистого вещества как
путем его синтеза в смеси твердых веществ, нап-ример, металлатных соединений
из их карбонатов и окислов путем реакционного восстановления в газовой среде
аммиака, а затем дозированного окисления для достижения продуктом
стехи-ометрического состава (Авт. свид. СССР " 392001; Б.И.32.-1973), так и
путем плазмохимического вакуумтермического, активаци-онного методов
получения дисперсных и тонкопленочных сред окислов, нитридов, халькогенидсв,
сегнетоэлектриков как было установлено нами (Сб. Получение и свойства тонких
пленок. Киев.: ИПМ АН УССР.-1976.-с. 86-91) протекает непременно при
образовании слоев стехиометрического состава через:
стадию дефектообразования (принцип: "дефектообразование - путь
образования совершенного кристалла");
стадию наследования продуктом диспергирования элементов структуры
материнской фазы (по сути дела расширительный принцип симметрии П.Кюри);
стадию образования сферолитов как концентраторов счетного числа
квазиатомов, представляющих вначале аморфные скопления атомов, активация
которых приводит к их дальнейшей кристаллизации, структурный тип которой
может изменяться в зависимости от генезиса, т.е. влияния способа обработки
материала.


Рассмотрение указанных принципов с единых позиций материаловедения и,
прежде всего, позиции управления физи-ко-химическими свойствами вещества в
процессе синтеза и обработки материала составило смысл и содержание моей
докторской диссертации, защищенной в 1969 г. Это был своего рода этап
"испытаний и скорбей" того пути, который нельзя было отнести к науке и о